產(chǎn)品中心
Product Center
熱門搜索：
GCDLSM-800端子電流耐久性測(cè)試系統(tǒng)
GCDLSM-800端子插拔循環(huán)壽命試驗(yàn)機(jī)
GCDLSM-800端子高低溫循環(huán)測(cè)試儀
GCDLSM-800端子電流循環(huán)壽命試驗(yàn)系統(tǒng)
GCDLSM-800端子電流循環(huán)壽命試驗(yàn)機(jī)
GCSTD-D高低頻固體介電常數(shù)測(cè)試儀
NLD-AI電線電纜漏電起痕試驗(yàn)儀
GDW-250小型高低溫試驗(yàn)臺(tái)
PMQS-I新款國產(chǎn)泡沫起升儀PMQS
GCDDJ-100Kv電壓擊穿試驗(yàn)儀
PMQS-IPMQS泡沫起升儀
GEST-121薄膜體積電阻率測(cè)試儀
GEST-122多功能炭素粉末石墨電阻率測(cè)量儀
GCSTD-FI液體高低介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
GEST-122多功能炭素電極電阻率測(cè)試儀
FTDZ-I粉末電阻率測(cè)試儀
當(dāng)前位置：首頁
產(chǎn)品中心比表面測(cè)試儀202A-比表面儀孔徑分析儀
product
產(chǎn)品分類
Langmuir比表面積孔徑測(cè)試儀。單點(diǎn)和多點(diǎn)BET比表面積。Langmuir比表面積測(cè)定。粒度估算和真密度測(cè)試、孔隙率及孔隙度分析。BJH介孔、大孔分析。t-plots圖法微孔分析，以及外表面積測(cè)定。as-plots微孔總面積。MP法微孔分析?？梢赃M(jìn)行微孔DR理論、HK狹縫孔理論、SF圓柱形孔理論分析，并可以升級(jí)進(jìn)行DFT密度函數(shù)理論；包括NLDFT理論等
更新時(shí)間：2026-01-06
產(chǎn)品型號(hào)：BETA202A
瀏覽量：1865
比表面積及孔徑測(cè)量儀原理。單點(diǎn)和多點(diǎn)BET比表面積。Langmuir比表面積測(cè)定。粒度估算和真密度測(cè)試、孔隙率及孔隙度分析。BJH介孔、大孔分析。t-plots圖法微孔分析，以及外表面積測(cè)定。as-plots微孔總面積。MP法微孔分析。可以進(jìn)行微孔DR理論、HK狹縫孔理論、SF圓柱形孔理論分析，并可以升級(jí)進(jìn)行DFT密度函數(shù)理論；包括NLDFT理論等
更新時(shí)間：2026-01-06產(chǎn)品型號(hào)：BETA202A瀏覽量：1721
單點(diǎn)比表面積及孔徑測(cè)量儀。單點(diǎn)和多點(diǎn)BET比表面積。Langmuir比表面積測(cè)定。粒度估算和真密度測(cè)試、孔隙率及孔隙度分析。BJH介孔、大孔分析。t-plots圖法微孔分析，以及外表面積測(cè)定。as-plots微孔總面積。MP法微孔分析。可以進(jìn)行微孔DR理論、HK狹縫孔理論、SF圓柱形孔理論分析，并可以升級(jí)進(jìn)行DFT密度函數(shù)理論；包括NLDFT理論等
更新時(shí)間：2026-01-06產(chǎn)品型號(hào)：BETA202A瀏覽量：1815
比表面積及孔徑測(cè)量分析方法。單點(diǎn)和多點(diǎn)BET比表面積。Langmuir比表面積測(cè)定。粒度估算和真密度測(cè)試、孔隙率及孔隙度分析。BJH介孔、大孔分析。t-plots圖法微孔分析，以及外表面積測(cè)定。as-plots微孔總面積。MP法微孔分析?？梢赃M(jìn)行微孔DR理論、HK狹縫孔理論、SF圓柱形孔理論分析，并可以升級(jí)進(jìn)行DFT密度函數(shù)理論；包括NLDFT理論等
更新時(shí)間：2026-01-06產(chǎn)品型號(hào)：BETA202A瀏覽量：1425
比表面積及孔徑測(cè)定儀k值標(biāo)定。單點(diǎn)和多點(diǎn)BET比表面積。Langmuir比表面積測(cè)定。粒度估算和真密度測(cè)試、孔隙率及孔隙度分析。BJH介孔、大孔分析。t-plots圖法微孔分析，以及外表面積測(cè)定。as-plots微孔總面積。MP法微孔分析?？梢赃M(jìn)行微孔DR理論、HK狹縫孔理論、SF圓柱形孔理論分析，并可以升級(jí)進(jìn)行DFT密度函數(shù)理論；包括NLDFT理論等
更新時(shí)間：2026-01-06產(chǎn)品型號(hào)：BETA202A瀏覽量：1955